半导体二极管修改.pptx
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1、4/11/2024 7:18:36 AM本章基本要求o了解半导体的基本知识o原理、掌握二极管的特点、伏安特性、应用电路及其分析方法。4/11/2024 7:18:54 AM1、半导体及其特性半导体及其特性 一般金属电阻率为10-910-6cm,绝缘体的电阻率为10101020cm,半导体的电阻率为 10-3109cm。由于半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,故称为半导体。半导体具有以下特性:(1)热敏特性(2)光敏特性(3)杂敏特性一、一、半导体基础与半导体基础与PN结结4/11/2024 7:19:11 AM2、二极管的结构、类型及符号、二极管的结构、类型及符号 将一个PN结封装起来,引出
2、两个电极,就构成半导体二极管,也称晶体二极管。其电路中的表示符号如图2-11a所示。二极管的外形如图2-1b所示。4/11/2024 7:19:29 AM 二极管的伏安特性就是二极管流过的电流i和两端电压u之间的关系,如图2-13。1正向特性 当正向电压足够大,超过开启电压后,内电场的作用被大大削弱,电流很快增加,二极管正向导通,如图2-13(1)段。此时硅二极管的正向导通压降在0.60.8V,典型值取0.7V;锗二极管的正向导通压降在0.10.3V,典型值取0.2V。二、二、二极管的伏安特性4/11/2024 7:19:46 AMo二极管的反向特性对应图2-13曲线的(2)段,此时二极管加反
3、向电压,阳极电位低于阴极电位。o在二极管两端加反向电压时,其外加电场和内电场的方向一致,当反向电压小于反向击穿电压时,由图中可以看出,反向电流基本恒定,而且电流几乎为零,这是由少数载流子漂移运动所形成的反向饱和电流。硅管的反向电流要比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流一般小于0.1A,锗管约为几个微安。2反向特性反向特性4/11/2024 7:20:04 AM3击穿特性击穿特性 当二极管反向电压过高超过反向击穿电压时,二极管的反向电流急剧增加,对应图2-13图中的(3)段。由于这一段电流大、电压高,所以PN结消耗的功率很大,容易使PN结过热烧坏,一般二极管的反向电压在几十伏以上。温度对二极管
4、伏安特性的影响如图2-14所示。温度升高时,正向特性左移,UBE下降;反向特性下移,反向饱和电流增大。4/11/2024 7:20:21 AM解:解:若要判断二极管是导通还是截止,则可先假设二极管移开,计算二极管的阳极和阴极之间的电位差。若该电位差大于零,则表明二极管可能导通;若该电位差小于或等于零,则二极管截止。4/11/2024 7:20:44 AM对于例2-1图a所示电路,移开二极管后的电路如图例2-1图b所示,两个二极管的阳极和阴极之间的电位差分别为 4/11/2024 7:21:03 AM故二极管D1导通,D2截止。由于二极管为理想二极管,所以D1做短路处理,D2做开路处理,其等效电
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